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3D-NAND: Micron stapelt erstmals 176 Layer übereinander

Micron gibt nun Vollgas beim in Eigenregie ohne Ex-Partner Intel entwickelten 3D-NAND. Mit neuer Replacement-Gate-Technik waren 128 Layer nur ein kleiner Zwischenschritt. Mit der zweiten Generation mit 176 Layern und 30 Prozent kleinerem…

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↗ Quelle (computerbase.de)
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Micron gibt nun Vollgas beim in Eigenregie ohne Ex-Partner Intel entwickelten 3D-NAND. Mit neuer Replacement-Gate-Technik waren 128 Layer nur ein kleiner Zwischenschritt. Mit der zweiten Generation mit 176 Layern und 30 Prozent kleinerem Chip als bei der Konkurrenz geht die Fahrt erst richtig los.

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