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Samsung startet Produktion von HBM2-basiertem 4-GByte-DRAM für Server
Die zweite Generation der Schnittstelle High Bandwith Memory sorgt für eine um den Faktor sieben erhöhte Dateübertragungsrate. Die im 20-Nanometer-Verfahren gefertigten Chips erreichen eine Bandbreiten von 256 GByte/s. Damit…
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Die zweite Generation der Schnittstelle High Bandwith Memory sorgt für eine um den Faktor sieben erhöhte Dateübertragungsrate. Die im 20-Nanometer-Verfahren gefertigten Chips erreichen eine Bandbreiten von 256 GByte/s. Damit eignen sie sich für High-Perfomance-Computing, Grafik-Rendering und maschinelles Lernen.
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